为什么不能只看 RDS(on) 或 VDS？
功率器件替代失败，常见原因不是「电压不够」，而是 开关损耗、体二极管恢复、SOA 或 散热设计 未重新评估。国产替代沟通应携带 拓扑、频率、占空比、散热条件。 华润微功率器件参考：CRST065N08N 、CRG40T60AN3H 、CRG40T65AK5HD 、CRTD084N08N 。
建议核对参数（6 类）
| 类别 | 核对要点 |
|---|---|
| 电压应力 | VDS/VCES 留裕量；尖峰与吸收网络 |
| 电流能力 | 连续/峰值；温升与 Rth |
| 开关特性 | Qg、Qgs、Qgd；开关损耗 |
| 体二极管 | 恢复特性；续流工况 |
| SOA | 短时过载；短路耐受 |
| 封装散热 | PCB 铜箔；过孔；热阻 |
与栅极驱动协同
替代 MOSFET/IGBT 时，建议同步核对 栅极驱动（如 CS4227 、IR2104STRPBF ）是否匹配新器件 Qg 与布局。 服务：国产替代建议 、多型号清单协同服务 。 产品线：MOSFET / 功率器件 ；品牌：华润微专区 。
提交 BOM 时建议写清楚什么
- 目标型号、品牌偏好与可接受备选范围
- 应用场景、数量级与期望交期窗口
- 是否需要配套驱动/PMIC/通信器件一并核对
- 资料版本、批次或可追溯性要求（如有）
入口：提交 多型号清单 。